硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生微小應(yīng)變時(shí)(般步于400微應(yīng)變)，其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)大變化，這種物理效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)。利用壓阻效應(yīng)原理，采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過(guò)摻雜、擴(kuò)散，沿單晶硅片上的特點(diǎn)晶向制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學(xué)特性，在同切硅材料上進(jìn)行各向異性微加工，就制成了個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測(cè)于體的擴(kuò)散硅傳感器。給傳感器匹配放大電路及相關(guān)部件，使之輸出個(gè)標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，就組成了臺(tái)完整的擴(kuò)散硅壓力變送器。當(dāng)介質(zhì)的壓力直接作用在傳感器的膜片上，使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻發(fā)生變化，和用電子線路檢測(cè)這變化，并轉(zhuǎn)換輸出個(gè)對(duì)應(yīng)于這個(gè)壓力的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。